IT之家 5 月 22 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。
SK 海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI 的稳定运行股票配资公司开户，所搭载的 NAND 闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗特性。依托这款对 AI 工作负载优化的 UFS 4.1 产品，公司将进一步巩固其在旗舰智能手机市场中的存储器技术领导地位。”
据介绍，随着端侧 AI 的需求持续增长，终端设备的计算性能与电池效率之间的平衡日趋关键，超薄设计和低功耗特性已成为移动设备的行业标准。
顺应这一趋势，公司此次开发的新品较上一代基于 238 层 NAND 闪存的产品能效提升了 7%。同时，成功将产品厚度从 1mm 减薄至 0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。
IT之家查询获悉，该产品支持第四代 UFS 产品的顺序读取峰值，数据传输速率高达 4300MB/s。决定移动设备多任务处理能力的随机读取和写入速度，相较上一代产品分别提升了 15% 与 40%，达到现存 UFS 4.1 产品中全球领先水平。
该产品提供 512GB 和 1TB 两种容量规格。公司计划于今年内向客户交付样品以进行验证流程股票配资公司开户，并将于明年第一季度正式进入量产阶段。
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